Primitives (Composants)

A) Appareils analogiques

Lettre

A, U primitives numériques

B GaAsFET et sources de courant ou de tension arbitraire

C Condensateur

D Diode

E Source de tension commandée en tension

F Source de courant commandée en courant

G Source de courant commandée en tension

H Source de tension commandée en courant

I Source de courant indépendante

J FET de jonction

K Couplage inducteur (et Noyau magnétique)

K Accouplement de ligne de transmission

L Inductance

M MOSFET

N HFET (heterostructure FET) et TFET (Tunnel FET)

O ligne avec perte (lossy line)

P Masse

Q Transistor bipolaire

R Résistance

S Commutateur commandé en tension

T Ligne de transmission (ligne idéale ou avec perte)

V Source de tension indépendante

W Interrupteur à commande de courant

X Instanciation du sous-circuit

Y non utilisé

Z IGBT ou GaAsFET

La bibliothèque de modèles se compose de modèles analogiques standard que vous pouvez utiliser directement dans vos conceptions de circuits. Vous pouvez également implémenter des modèles en utilisant la commande .MODEL (modèle définition) et implémenter des macro-modèles en tant que sous-circuits à l'aide de la commande .SUBCKT (sous-circuit).

Le type d'appareil BJT (Lettre Q) a trois types de modèles : NPN, PNP et LPNP (Latéral PNP). La description de chaque type d'appareils comprend une description de tous les types de modèles qu'il prend en charge.

Les déclarations d'appareil dans la netlist commencent toujours par le nom de l'appareil individuel (exemple QNOM). La première lettre du nom détermine le type d'appareil. Ce qui suit le nom dépend du type d'appareil et de ses caractéristiques demandées. Ci-dessous un résumé du type d'appareil et la forme générale de leurs formats de déclaration.

B) Types appareils

Appareils Numériques A

Voir leurs descriptions dans le document en référence des digitaux.

Appareils analogiques B

GaAsFET

Forme générale B<nom> <nœud drain> <nœud gate> < nœud source> <nom modèle> [area value]

Exemples

BIN 100 10 0 GFAST

B13 22 14 23 GNOM 2.0

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> GASFET [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
AF	flicker noise exponent	-	1
BETA	transconductance coefficient	amp/volt2	0.1
BETATCE	BETA exponential temperature coefficient	%/°C	0
CDS	drain-source capacitance	farad	0
CGD	zero-bias gate-drain p-n capacitance	farad	0
CGS	zero-bias gate-source p-n capacitance	farad	0
EG	band gap voltage (barrier height)	eV	1.11
FC	forward-bias depletion capacitance coefficient	-	0.5
IS	gate p-n saturation current	amp	1E-14
KF	flicker noise coefficient	-	0
LEVEL	model index (1,2,3,4,5)	-	1
N	gate p-n emission coefficient	-	1
RD	drain ohmic resistance	ohm	0
RG	gate ohmic resistance	ohm	0
RS	source ohmic resistance	ohm	0
TRD1	RD temperature coefficient (linear)	°C-1	0
TRG1	RG temperature coefficient (linear)	°C-1	0
TRS1	RS temperature coefficient (linear)	°C-1	0
T_MEASURED	measured temperature	°C	27
VBI	gate p-n potential	volt	1.0
VTO	pinchoff voltage	volt	-2.5
VTOTC	VTO temperature coefficient	volt/°C	0
XTI	IS temperature exponent	-	0
Level 1
ALPHA	saturation voltage parameter	volt-1	2.0
LAMBDA	channel-length modulation	volt	-1 0
M	gate p-n grading coefficient	-	0.5
TAU	conduction current delay time	sec	0
Level 2
ALPHA	saturation voltage parameter	volt-1	2.0
B	doping tail extending parameter	volt-1	0.3
LAMBDA	channel-length modulation	volt	-1 0
M	gate p-n grading coefficient	-	0.5
TAU	conduction current delay time	sec	0
VDELTA	capacitance transition voltage	volt	0.2
VMAX	capacitance limiting voltage	volt	0.5
level 3
ALPHA	saturation voltage parameter	volt-1	2.0
BTRK	auxiliary parameter for Monte Carlo analysis	amp/volt	3 0
DELTA	output feedback parameter	(amp·volt)-1	0
DVT	auxiliary parameter for Monte Carlo analysis	volt	0
DVTT	auxiliary parameter for Monte Carlo analysis	volt	0
GAMMA	static feedback parameter	-	0
M	gate p-n grading coefficient	-	0.5
Q	power-law parameter	-	2
TAU	conduction current delay time	sec	0
VDELTA	capacitance transition voltage	volt	0.2
VMAX	gate diode capacitance limiting voltage	volt	0.5
level 4
ACGAM	capacitance modulation	-	0
DELTA	output feedback parameter	(amp·volt)-1	0
HFETA	high-frequency VGS feedback parameter	-	0
HFE1	HFGAM modulation by VGD	volt-1	0
HFE2	HFGAM modulation by VGS	volt-1	0
HFGAM	high-frequency VGD feedback parameter	-	0
HFG1	HFGAM modulation by VSG	volt-1	0
HFG2	HFGAM modulation by VDG	volt-1	0
IBD	gate junction breakdown current	amp	0
LAMBDA	channel-length modulation	volt-1	0
LFGAM	low-frequency feedback parameter	-	0
LFG1	LFGAM modulation by VSG	volt-1	0
LFG2	LFGAM modulation by VDG	volt-1	0
MVST	subthreshold modulation	volt-1	0
MXI	saturation knee-potential modulation	-	0
P	linear-region power law exponent	-	2
Q	power-law parameter	-	2
TAUD	relaxation time for thermal reduction	sec	0
TAUG	relaxation time for GAM feedback	sec	0
VBD	gate junction breakdown potential	volt	1
VST	subthreshold potential	volt	0
XC	capacitance pinchoff reduction factor	-	0
XI	saturation knee potential factor	-	1000
Z	knee transition parameter	-	0.5
level 5
ALPHA	saturation voltage parameter	volt-1	2.0
ALPHATCE	ALPHA temperature coefficient	%/°C	0
BTRK	auxiliary parameter for Monte Carlo analysis	amp/volt3	0
CGDTCE	CGD temperature coefficient	°C-1	0
CGSTCE	CGS temperature coefficient	°C-1	0
DELTA	output feedback parameter	(amp·volt)-1	0
DVT	auxiliary parameter for Monte Carlo analysis	volt	0
DVTT	auxiliary parameter for Monte Carlo analysis	volt	0
GAMMA	static feedback parameter	-	0
GAMMATC	GAMMA temperature coefficient	°C-1	0
ND	subthreshold slope drain pull parameter	volt-1	0
NG	subthreshold slope gate parameter	-	0
Q	power-law parameter	-	2
TAU	conduction current delay time	sec	0
VBITC	VBI temperature coefficient	volt/°C	0
VDELTA	capacitance transition voltage	volt	0.2
VMAX	gate diode capacitance limiting voltage	volt	0.5

Source de tension

Source de courant

Forme générale B<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> V=<expression> R=<résistance> POWER=<puissance>

B<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> I=<expression> R=<résistance> POWER=<puissance>

Exemples

B1 1 0 V=.001*V(5)-V(2)+VIN

B2 2 1 I=.02*VIN+I(VIN)

La première syntaxe spécifie une source de tension arbitraire, l’autre une source de courant. Une résistance série peut être spécifiée pour la tension arbitraire ou parallèle dans l’autre cas. Elle est exprimée en Ω (ohm). La puissance maximum admissible peut également être indiquée, elle est exprimée en watt. L’expression est une formule mathématique quelconque conforme aux spécifications définis dans le document en référence de la calculatrice.

Appareils analogiques C

Condensateur

Forme générale C<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> [nom du modèle] <valeur> [IC=<valeur initiale>]

Exemples

CLOAD 15 0 20pF

C2 1 2 .2E-12 IC=1.5V

CFDBCK 3 33 CMOD 10pF

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> CAP [paramètres du modèle]

La liste des paramètres du modèle est donnée ci-dessous :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
Capacitor	Capacitance	F	0
R	Parasitic resistor	Ω	0
L	Parasitic inductor	H	0
RLEAK	Leak resistor	Ω	GMIN
POWER	Power dissipated	W	0
SET	Set of capacitance	-	E24
C	Capacitance multiplier	-	1
POL	polarized capacitor	-	False
VC1	linear voltage coefficient	volt-1	0
VC2	quadratic voltage coefficient	volt-2	0
TC1	Linear temperature coefficient	°C-1	0
TC2	Quadratic temperature coefficient	°C-2	0
T_MEASURED	Measured temperature	°C	27
IC	initial voltage across the capacitor during bias point calculation	Volt	0

Appareils analogiques D

Diode

Forme générale D<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> <nom du modèle> [area value]

Exemples

DCLAMP 14 0 DMOD

D13 15 17 SWITCH 1.5

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> D [paramètres du modèle]

La liste des paramètres du modèle est donnée ci-dessous :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
AF	flicker noise exponent	-	1.0
BV	reverse breakdown knee voltage	volt	infinite
CJO	zero-bias p-n capacitance farad	-	0.0
EG	bandgap voltage (barrier height)	eV	1.11
FC	forward-bias depletion capacitance coefficient	-	0.5
IBVL	low-level reverse breakdown knee current	amp	0.0
IBV	reverse breakdown knee current	amp	1E-10
IKF	high-injection knee current	amp	infinite
IS	saturation current	amp	1E-14
ISR	recombination current parameter	amp	0.0
KF	flicker noise coefficient	-	0.0
M	p-n grading coefficient	-	0.5
N	emission coefficient	-	1.0
NBV	reverse breakdown ideality factor	-	1.0
NBVL	low-level reverse breakdown ideality factor	-	1.0
NR	emission coefficient for isr	-	2.0
RS	parasitic resistance	ohm	0.0
TBV1	bv temperature coefficient (linear)	°C-1	0.0
TBV2	bv temperature coefficient (quadratic)	°C-2	0.0
TIKF	ikf temperature coefficient (linear)	°C-1	0.0
TRS1	rs temperature coefficient (linear)	°C-1	0.0
TRS2	rs temperature coefficient (quadratic)	°C-2	0.0
TT	Reverse recovery time	sec	0.0
T_MEASURED	measured temperature	°C	27
VJ	p-n potential	volt	1.0
XTI	IS temperature exponent	-	3.0
IVAL	valley point current (tunnel diode)	amp	0.0
IPK	Peak point current (tunnel diode)	amp	0.0
VPK	Peak point voltage (tunnel diode)	volt	0.0
VVAL	Valley point voltage (tunnel diode)	volt	0.0
θj	Maximum junction temperature	°C	175
POWER	power dissipation in package	W	0.0
RJTA	Junction to ambient thermal resistance	°C/W	0.0
IFMAX	Forward current maximum	amp	0.0
L	Channel length (photodiode)	meter	1µ
TF	Forward recovery time	sec	0.0
IPH	incident photon flux (photodiode)	W/meter	0.0
LAMBDA	Electromagnetic spectrum wavelength range (photodiode)	meter	0.55
NA	The amount of acceptor atoms( photodiode)	Meter-3	1^E24
TP	Mobility (photodiode)	meter²/Volt sec	0.045
TPE	Mobility temperature exponent (photodiode)	-	2.3
MFG	Manufacturer	-	-

Appareils analogiques E/G

Source de tension commandée en tension

Source de courant commandée en tension

Forme générale E<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> <(+) nœud de contrôle> <(-) nœud de contrôle> <gain>

E<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> POLY(<valeur>)

+ < <(+) nœud de contrôle> <(-) nœud de contrôle> >*

+ < <valeur du coefficient polynomial> >*

E<nom> <(+) <nœud> <(-) nœud> VALUE = { <expression> }

E<nom> <(+) <nœud> <(-) nœud> TABLE { <expression> } =

+ < <valeur d'entrée>,<valeur de sortie> >*

E<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> LAPLACE { <expression> } =

+ { <transformer> }

E<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> FREQ { <expression> } = [MOT CLÉ]

+ < <valeur de fréquence>,<valeur d'amplitude>,<valeur de phase> >*

+ [DELAY = <valeur du délai>]

Exemples

EBUFF 1 2 10 11 1.0

EAMP 13 0 POLY(1) 26 0 0 500

ENONLIN 100 101 POLY(2) 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2 0.005

ESQROOT 5 0 VALUE = {5V*SQRT(V(3,2))}

ET2 2 0 TABLE {V(ANODE,CATHODE)} = (0,0) (30,1)

ERC 5 0 LAPLACE {V(10)} = {1/(1+.001*s)}

ELOWPASS 5 0 FREQ {V(10)}=(0,0,0)(5kHz, 0,0)(6kHz -60, 0) DELAY=3.2ms

GBUFF 1 2 10 11 1.0

GAMP 13 0 POLY(1) 26 0 0 500

GNONLIN 100 101 POLY(2) 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2 0.005

GPSK 11 6 VALUE = {5MA*SIN(6.28*10kHz*TIME+V(3))}

GT ANODE CATHODE VALUE = {200E-6*PWR(V(1)*V(2),1.5)}

GLOSSY 5 0 LAPLACE {V(10)} = {exp(-sqrt(C*s*(R+L*s)))}

Appareils analogiques F/H

Source de courant contrôlée par le courant

Source de tension contrôlée par le courant

Expressions polynomiales SPICE de base (POLY)

Forme générale F<nom> <(+) nœud> <(-) nœud>

+ <nom du périphérique V de contrôle> <gain>

F<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> POLY(<valeur>)

+ <nom du périphérique V de contrôle>*

+ < <valeur du coefficient polynomial> >*

Exemples

FSENSE 1 2 VSENSE 10.0

FAMP 13 0 POLY(1) VIN 0 500

FNONLIN 100 101 POLY(2) VCNTRL1 VCINTRL2 0.0 13.6 0.2 0.005

Appareils analogiques I/V

Source de courant et stimulus indépendants

Source de tension et stimulus indépendants

Forme générale I<nom> <(+) nœud> <(-) nœud>

+ [ [DC] <valeur> ]

+ [ AC <valeur de grandeur> [valeur de phase] ]

+ [STIMULUS=<nom du stimulus>]

+ [spécification transitoire]

Forme générale V<nom> <(+) nœud> <(-) nœud>

+ [ [DC] <valeur> ]

+ [ AC <valeur de grandeur> [valeur de phase] ]

+ [STIMULUS=<nom du stimulus>]

+ [spécification transitoire]

Exemples

IBIAS 13 0 2.3mA

IAC 2 3 AC 0.001

IACPHS 2 3 AC 0.001 90

IPULSE 1 0 PULSE(-1mA 1mA 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)

I3 26 77 DC 0.002 AC 1 SIN (.002 .002 1.5MEG)

VBIAS 13 0 2V

VAC 2 3 AC 1

VACPHS 2 3 AC 1 90

VPULSE 1 0 PULSE(-1V 1V 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)

V3 26 77 DC 1 AC 1 SIN (2 1 1.5MEG)

Appareils analogiques J

FET de jonction

Forme générale J<nom> <nœud drain> <nœud gate> <nœud source> <nom modèle> +[area value]

Exemples

JIN 100 1 0 JFAST

J13 22 14 23 JNOM 2.0

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> NJF [paramètres du modèle]

.MODEL <nom du modèle> PJF [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
AF	flicker noise exponent	-	1
ALPHA	ionization coefficient	volt	-1 0
BETA	transconductance coefficient	amp/volt2	1E-4
BETATCE	BETA exponential temperature coefficient	%/°C	0
CGD	zero-bias gate-drain p-n capacitance	farad	0
CGS	zero-bias gate-source p-n capacitance	farad	0
FC	forward-bias depletion capacitance coefficient	-	0.5
IS	gate p-n saturation current	amp	1E-14
ISR	gate p-n recombination current parameter	amp	0
KF	flicker noise coefficient	-	0
LAMBDA	channel-length modulation	volt	-1 0
M	gate p-n grading coefficient	-	0.5
N	gate p-n emission coefficient	-	1
NR	emission coefficient for isr	-	2
PB	gate p-n potential	volt	1.0
RD	drain ohmic resistance	ohm	0
RS	source ohmic resistance	ohm	0
T_MEASURED	measured temperature	°C	27
VK	ionization knee voltage	volt	0
VTO	threshold voltage	volt	-2.0
VTOTC	VTO temperature coefficient	volt/°C	0
XTI	IS temperature coefficient	-	3
EG	band gap voltage (barrier height)	eV	1.11
IDMAX	Maximum drain current	amp	-
VDSMAX	Maximum drain source voltage	volt	-
θj	Maximum junction temperature	°C	175
POWER	power dissipation in package	W	0.0
RJTA	Junction to ambient thermal resistance	°C/W	0.0
MFG	Manufacturer	-	-

Appareils analogiques K

Couplage inducteur (et noyau magnétique)

Couplage de ligne de transmission

Forme générale K<nom> L<nom inducteur> <L<nom inducteur>>* <valeur de couplage>

K<nom> <L<nom de l'inducteur>>* <valeur de couplage> <nom du modèle> [valeur de taille]

K<nom> T<nom de la ligne de transmission> T<nom de la ligne de transmission>

+ Cm=<couplage capacitif> Lm=<couplage inductif>

Exemples

KTUNED L3OUT L4IN .8

KTRNSFRM LPRIMARY LSCNDRY 1

KXFRM L1 L2 L3 L4 .98 KPOT_3C8

K2LINES T1 T2 Lm=1m Cm=.5p

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> CORE [paramètres du modèle]

La liste des paramètres du modèle est donnée ci-dessous :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
A	Thermal energy parameter	amp/meter	1000
AREA	Mean magnetic cross-section	cm2	0.1
C	Domain flexing parameter	-	0.2
GAP	Effective air-gap length	cm	0
K	Domain anisotropy parameter	amp/meter	500
LEVEL	Model index	-	2
MS	Magnetization saturation	amp/meter	1E6
PACK	Pack (stacking) factor	-	1
PATH	Mean magnetic path length	Cm	1
µCORE	Magnetic permeability	H m^−1	4*Pi*1E-7
CORE	Activate CORE	-	False

Appareils analogiques L

Inductance

Forme générale L<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> [nom du modèle] <valeur>

+ [IC=<valeur initiale>]

Exemples

LLOAD 15 0 20mH

L2 1 2 .2E-6

LCHOKE 3 42 LMOD .03

LSENSE 5 12 2UH IC=2mA

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> IND [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
Inductor	Inductance	H	0
C	Parasitic capacitance	F	0
R	Parasitic resistor	Ω	0
RLEAK	Leak resistor	Ω	GMIN
POWER	Power dissipated	W	0
L	Inductance multiplier	-	1
IL1	Linear current coefficient	amp-1	0
IL2	Quadratic current coefficient	amp-2	0
TC1	Linear temperature coefficient	°C-1	0
TC2	Quadratic temperature coefficient	°C-2	0
T_MEASURED	Measured temperature	°C	27
IC	Initial current through the inductor during bias point calculation	amp	0
LM	Magnetic Length(excl. gap)	meter	0
µCORE	magnetic permeability	H m^−1	4*Pi*1E-7
LG	Length of gap	meter	0
A	Cross sectional area	Meter²	0
N	Number of turns	-	1
HC	Coercive force	Amp-turns/meter	0
BR	Remnant flux density	Tesla	0
BS	Saturation flux density	Tesla	0

Appareils analogiques M

MOSFET

Forme générale M<name> <drain node> <gate node> <source node>

+ <nœud de masse/substrat> <nom du modèle>

+ [L=<valeur>] [W=<valeur>]

+ [AD=<valeur>] [AS=<valeur>]

+ [PD=<valeur>] [PS=<valeur>]

+ [NRD=<valeur>] [NRS=<valeur>]

+ [NRG=<valeur>] [NRB=<valeur>]

+ [M=<valeur>] [N=<valeur>]

Exemples

M1 14 2 13 0 PNOM L=25u W=12u

M13 15 3 0 0 PSTRONG

M16 17 3 0 0 PSTRONG M=2

M28 0 2 100 100 NWEAK L=33u W=12u

+ AD=288p AS=288p PD=60u PS=60u NRD=14 NRS=24 NRG=10

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> NMOS [paramètres du modèle]

.MODEL <nom du modèle> PMOS [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
FC	bulk p-n forward-bias capacitance coefficient	-	0.5
EG	band gap voltage (barrier height)	eV	1.11
W	channel width	meter	1E-4
TOX	oxide thickness	meter	1E-7
L	channel length	meter	1E-4
WD	lateral diffusion (width)	meter	0
CBD	zero-bias bulk-drain p-n capacitance	farad	0
CBS	zero-bias bulk-source p-n capacitance	farad	0
IS	bulk p-n saturation current	amp	1E-14
RS	source ohmic resistance	ohm	0
RD	drain ohmic resistance	ohm	0
IDRATING	Drain current rating	amp	0
VDS	Drain-source voltage rating	volt	0
POWER	Power disipated	watt	0
RTJA	junction-ambient temperature resistance	-	0
TJUNC	Junction temperature	°C	175
LD	lateral diffusion (length)	meter	0
N	bulk p-n emission coefficient	-	1
MJ	bulk p-n bottom grading coefficient	-	0.5
MJSW	bulk p-n sidewall grading coefficient	-	0.33
JS	bulk p-n saturation current/area	amp/meter²	0
JSSW	bulk p-n saturation sidewall current/length	amp/meter	0
LAMBDA	depletion length coefficient (channel length modulation)	-	0
RDS	drain-source shunt resistance	ohm	1E37
PB	bulk p-n bottom potential	volt	0.8
PBSW	bulk p-n sidewall potential	volt	0
PHI	bulk Fermi potential	V	0.6
UO	surface mobility	cm² /volt·sec	600
GAMMA	body effect parameter	Sqrt(V)	0.5
VTO	long-channel threshold voltage	V	0
KP	transconductance parameter	A/V2	2E-5
RG	gate ohmic resistance	ohm	0
CGBO	gate-bulk overlap capacitance/channel length	farad/meter	0
CGDO	gate-drain overlap capacitance/channel width	farad/meter	0
CGSO	gate-source overlap capacitance/channel width	farad/meter	0
CJ	bulk p-n zero-bias bottom capacitance/area	farad/meter²	0
CJSW	bulk p-n zero-bias sidewall capacitance/length	farad/meter	0
RB	bulk ohmic resistance	ohm	0
AF	flicker noise exponent	-	1
GDSNOI	channel shot noise coefficient (use with NLEV=3)	-	1
KF	flicker noise coefficient	-	0
NLEV	noise equation selector	-	2
RSH	drain, source diffusion sheet resistance	ohm/square	0
TT	bulk p-n transit time	sec	0
TPG	Gate material type: +1 = opposite of substrate -1 = same as substrate 0 = aluminum	-	1
EOX	relative permittivity of the oxide	-	3.4
T_MEASURED	measured temperature	°C	27
CGDMIN	Minimum non-linear G-D capacitance	Farad	0
CGDMAX	Maximum non-linear G-D capacitance	Farad	0
A	Non-linear Cgd capacitance parameter	-	1
XTI	Body diode saturation current temperature exponent	-	3
BEX	Power of Kp temp dependence	-	-1.5
VTOTC	Vto tempco. If specified, the computation from 1st principles based on phi is ignored	V/°C	0
TRS1	Rs linear tempco	°C-1	0
TRS2	Rs quadradic tempco	°C-2	0
TRG1	Rg linear tempco	°C-1	0
TRG2	Rg quadradic tempco	°C-2	0
TRD1	Rd linear tempco	°C-1	0
TRD2	Rd quadradic tempco	°C-2	0
TRB1	Rb linear tempco	°C-1	0
TRB2	Rb quadradic tempco	°C-2	0
BV	Vds breakdown voltage	V	Infinite
IBV	Current at Vds=BV	A	100pA
NBV	Vds breakdown emission coefficient	-	1
MTRIODE	Conductance multiplier in triode region(allows independent fit of triode and saturation regions	-	1
Ksubthres	subthreshold conduction parameter	-	0
TKSUBTHRES1	linear tempco of Ksubthres	°C-1	0
TKSUBTHRES2	quadtradic tempco of Ksubthres	°C-2	0
VGSMAX	Maximum gate source voltage	Volt	-
MFG	Manufacturer	-	-
LEVEL	Model index	-	1
DELTA	Width effect on threshold	-	0
ETA	Static feedback (Level 3)	-	0
KAPPA	Satturation field factor (Level 3)	-	0.2
NEFF	Channel charge coefficient (Level 2)	-	1
NFS	Fast surface state density	1/cm²	0
NSS	Surface state density	1/cm²	-
NSUB	Substrate doping density	1/cm³	-
THETA	Mobility modulation (Level 3)	1/Volt	0
UCRIT	Mobility degradation critical field (Level 2)	Volt/cm	1.0E+4
UEXP	Mobility degradation exponent (Level 2)	-	0
VMAX	Maximum drift velocity	Meter/s	0
XJ	Metallurgical junction depth (Level 2 and 3)	Meter	0
XQC	Fraction of channel charge attributed to drain	-	1
MOB	Mobility equation selector (Level 2)	-	0
UTRA	Mobility degradation transverse field coefficient	-	0

Appareils analogiques N

TFET

Forme générale N<name> D G S MNAME <L=VALEUR> <W=VALEUR>

Exemple

N1 7 2 3 ntfet L=20n W=300n

D, G et S sont respectivement les nœuds de drain, de grille et de source. MNAME est le nom du modèle.

Utilisez ntfet pour les transistors à effet de champ tunnel de type n (TFET) et ptfet pour le type p.

L est la longueur de la porte, W est la largeur de la porte. Les valeurs par défaut pour la longueur et la largeur sont L = 20 nm et W = 1 µm.

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> NTFET [paramètres du modèle]

.MODEL <nom du modèle> PTFET [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Description du paramètre	Unité	Défaut
DELTA	Transition width parameter	-	5
E0	Built-in electrical field	V/m	5.27E7
EG	Semiconductor bandgap	eV	0.35
ETA	NDR drain-source voltage sensitivity parameter	-	0.1
GAMMA	Saturation shape parameter	V	0.06
J0	P-n junction saturation current density	A/m2	1E7
JP	NDR current density parameter	A/m2	2E8
LAMBDA	Saturation voltage parameter	V	0.19
MR	Reduced effective mass	-	0.012
N1	Sub-threshold ideality factor	-	1.8
N2	Ideality factor of the RTD	-	1.1
R0	Tunneling window parameter	-	0.5
R1	Electrical field parameter	1/m	0.01
R2	Electrical field parameter	1/m	1.3
RDW	Drain access resistance per unit width	Ωµm	0
RGWL	Gate access resistance per gate square	Ω	0
RSW	Drain access resistance per unit width	Ωµm	0
S	Ambipolar current attenuation	-	1.0
TCH	Channel thickness	m	5E-9
VOFF	Minimum valid gate-source voltage	V	0.01
VP	NDR parameter	V	0.05
VTH	Threshold voltage	V	0.17
ALPHA	Gate-drain capacitance parameter	-	1.14
BETA	Gate-drain capacitance parameter	1/VMC	0.02
CGS0	Gate-source capacitance per unit width	F/m	6.9E-11
EOT	Gate insulator electrical thickness	m	0.2E-9
EPSI	Gate insulator dielectric constant	-	1.0
GAMMAC	Capacitance parameter	V	0.18
MC	Cgd knee-shape parameter	-	2
T_MEASURED	T_MEASURED	°C	27
MFG	Manufacturer	-	-
W	channel width	meter	3E-7
L	Channel length	meter	2E-8

HFET

Forme générale N<name> D G S MNAME <L=VALEUR> <W=VALEUR>

Exemple

N1 7 2 3 nhfet L=20n W=300n

D, G et S sont respectivement les nœuds de drain, de grille et de source. MNAME est le nom du modèle.

Utilisez nhfet pour les heterostructure FET de type n (TFET) et ptfet pour le type p.

L est la longueur de la porte, W est la largeur de la porte. Les valeurs par défaut pour la longueur et la largeur sont L = 1µm et W = 20 µm.

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> NHFET [paramètres du modèle]

.MODEL <nom du modèle> PHFET [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Paramètre	Unité	Défaut
D1	Distance to buffer layer charge	m	0.03E-6
D2	Distance from gate to second channel	m	0.2E-6
DELTA	Transition width parameter	-	3
DELTAD	Thickness correction	m	4.5E-9
DI	Thickness of interface layer	m	0.04E-6
EPSI	Dielectric constant for interface layer	F/m	1.0841E-10
ETA	Subthreshold ideality factor	-	1.28 (NHFET) 1.4 (PHFET)
ETA1	Ideality factor of buffer layer charge	-	2.0
ETA2	Ideality factor of second channel conduction	-	2.0
KLAMBDA	Temperature coefficient of LAMBDA	1/(V°C)	0
KMU	Temperature coefficient of MU	M²/(Vs°C)	0
KVTO	Temperature coefficient of VTO	V/°C	0
LAMBDA	Output conductance parameter	1/V	0.15
M	Knee shape parameter	-	3
MU	Low field mobility	m2 /vs	0.4 (NHFET) 0.03 (PHFET)
NMAX	Maximum sheet charge density in the channel	m-2	2E16
RD	Drain ohmic resistance	W	0
RDI	Internal drain ohmic resistance	W	0
RS	Source ohmic resistance	W	0
RSI	Internal source ohmic resistance	W	0
SIGMA0	DIBL parameter	-	0.057
VS	Saturation velocity	m/s	1.5E5 (NHFET) 0.8E5 (PHFET)
VSIGMA	DIBL parameter	V	0.1
VSIGMAT	DIBL parameter	V	0.3
VT1	Threshold voltage of interface layer conduction	V	Calculated
VT2	Threshold voltage of second channel	V	VTO
VTO	Threshold voltage	V	0.15 (NHFET) -0.15 (PHFET)
A1	First correction current coefficient	-	0
A2	Second correction current coefficient	-	0
ALPHAT	Drain temperature coefficient	K/V2	0
ASTAR	Effective Richardson constant	A/(m2K 2 )	4.0E4
CK1	First drain temperature coefficient	-	1
CK2	Second drain temperature coefficient	V	0
CM1	Third drain temperature coefficient	-	3
CM2	Fourth drain temperature coefficient	V	0
CM3	Third correction current coefficient	-	0.17
DEL	Reverse junction conductance inverse ideality factor	-	0.04
GATEMOD	Gate leakage current model selector	-	0
GGR	Junction conductance at reverse bias	1/(Wm2 )	40
JS1D	Forward gate-drain diode saturation current density	A/m2	1.0
JS1S	Forward gate-source diode saturation current density	A/m2	1.0
JS2D	Reverse gate-drain diode saturation current density	A/m2	1.15E6
JS2S	Reverse gate-source diode saturation current density	A/m2	1.15E6
M1D	Forward gate-drain diode ideality factor	-	1.32
M1S	Forward gate-source diode ideality factor	-	1.32
M2D	Reverse gate-drain diode ideality factor	-	6.9
M2S	Reverse gate-source diode ideality factor	-	6.9
MT1	First drain temperature exponent	-	3.5
MT2	Second drain temperature exponent	-	9.9
MV1	Correction current exponent	-	3
PHIB	Effective heterojunction barrier height	eV	0.5
RG	Gate ohmic resistance	W	0
RGD	Gate-drain ohmic resistance	W	90
RGS	Gate-source ohmic resistance	W	90
CDS	Drain-source capacitance	F	0
GAMMA	Capacitance parameter	-	3
MC	Capacitance transition parameter	-	3
P	Charge partitioning parameter	-	1.0
RF	Resistance in series with Cgd	W	0
RI	Resistance in series with Cgs	W	0
TF	Characteristic temperature for the frequency dependence of gds	°C	TEMP
LEVEL	Model index	-	1
T_MEASURED	T_MEASURED	°C	27
MFG	Manufacturer	-	-
W	channel width	meter	3E-7
L	Channel length	meter	2E-8
JS	Saturation current	amp	0
N	current emission coefficient	-	1.0
CF	Gate capacitance	farad	0

Appareils analogiques O

Ligne avec perte

Forme générale O<nom> <L+> <L-> <R+> <R-> <nom modèle>

Exemple

O1 in 0 out 0 MyLossyTline

.MODEL <nom du modèle> LTRA [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
IC	Sets the initial condition and all four values must be entered. Four values are expected when IC is specified: the near-end voltage, the near-end current, the far-end voltage, and the far-end current, given in that order.	-	None
R	per unit length resistance	ohms/unit length	None
L	per unit length inductance	henries/unit length	None
G	per unit length conductance	mhos/unit length	None
C	per unit length capacitance	farads/unit length	None
LEN	physical length agrees with RLGC	-	None

Il s'agit d'une ligne de transmission avec perte. Une carte modèle est nécessaire pour définir les caractéristiques électriques de cet élément de circuit.

Appareils analogiques P

Masse

Forme générale P<nom> < nœud 0 >

Exemple

P1 0

Il s'agit de la masse du circuit. Au moins une masse doit apparaître dans le circuit.

Appareils analogiques Q

Transistor bipolaire

Forme générale Q<nom> <nœud collecteur> <nœud de base> <nœud émetteur>

+ [nœud de substrat] <nom du modèle> [area value]

Exemples

Q1 14 2 13 PNPNOM

Q13 15 3 0 1 NPNSTRONG 1.5

Q7 CV 5 12 [SUB] LATPNP

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> NPN [paramètres du modèle]

.MODEL <nom du modèle> PNP [paramètres du modèle]

.MODEL <nom du modèle> LPNP [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
AF	flicker noise exponent	-	1.0
BF	ideal maximum forward beta	-	100.0
BR	ideal maximum reverse beta	-	1.0
CJC	base-collector zero-bias p-n capacitance	farad	0.0
CJE	base-emitter zero-bias p-n capacitance	farad	0.0
CJS (CCS)	ubstrate zero-bias p-n capacitance	farad	0.0
CN	quasi-saturation temperature coefficient for hole mobility	-	2.42 NPN 2.20 PNP
D	quasi-saturation temperature coefficient for scattering-limited hole carrier velocity	-	0.87 NPN 0.52 PNP
EG	bandgap voltage (barrier height)	eV	1.11
FC	forward-bias depletion capacitor coefficient	-	0.5
GAMMA	epitaxial region doping factor	-	1E-11
IKF (IK)	corner for forward-beta high-current roll-off	amp	infinite
IKR	corner for reverse-beta high-current roll-off	amp	infinite
IRB	current at which Rb falls halfway to	amp	infinite
IS	Transport saturation current	amp	1E-16
ISC (C4)	† base-collector leakage saturation current	amp	0.0
ISE (C2)	† base-emitter leakage saturation current	amp	0.0
ISS	substrate p-n saturation current	amp	0.0
ITF	transit time dependency on Ic	amp	0.0
KF	flicker noise coefficient	-	0.0
MJC (MC)	base-collector p-n grading factor	-	0.33
MJE (ME)	base-emitter p-n grading factor	-	0.33
MJS (MS)	substrate p-n grading factor	-	0.0
NC	base-collector leakage emission coefficient	-	2.0
NE	base-emitter leakage emission coefficient	-	1.5
NF	forward current emission coefficient	-	1.0
NK	high-current roll-off coefficient	-	0.5
NR	reverse current emission coefficient	-	1.0
NS	substrate p-n emission coefficient	-	1.0
PTF	excess phase @ 1/(2π·TF)Hz	degree	0.0
QCO	epitaxial region charge factor coulomb	-	0.0
QUASIMOD	quasi-saturation model flag for temperature dependence if QUASIMOD = 0, then no GAMMA, RCO, VO temperature dependence if QUASIMOD = 1, then include GAMMA, RCO, VO temperature dependence	-	0
RB	zero-bias (maximum) base resistance	ohm	0.0
RBM	minimum base resistance	ohm	RB
RC	collector ohmic resistance	ohm	0.0
RCO	‡ epitaxial region resistance	ohm	0.0
RE	emitter ohmic resistance	ohm	0.0
TF	ideal forward transit time	sec	0.0
TR	ideal reverse transit time	sec	0.0
TRB1	RB temperature coefficient (linear)	°C-1	0.0
TRB2	RB temperature coefficient (quadratic)	°C-2	0.0
TRC1	RC temperature coefficient (linear)	°C-1	0.0
TRC2	RC temperature coefficient (quadratic)	°C-2	0.0
TRE1	RE temperature coefficient (linear)	°C-1	0.0
TRE2	RE temperature coefficient (quadratic)	°C-2	0.0
TRM1	RBM temperature coefficient (linear)	°C-1	0.0
TRM2	RBM temperature coefficient (quadratic)	°C-2	0.0
T_MEASURED	measured temperature	°C	27
VAF (VA)	forward Early voltage	volt	infinite
VAR (VB)	reverse Early voltage	volt	infinite
VG	quasi-saturation extrapolated bandgap voltage at 0°	K V	1.206
VJC (PC)	base-collector built-in potential	volt	0.75
VJE (PE)	base-emitter built-in potential	volt	0.75
VJS (PS)	substrate p-n built-in potential	volt	0.75
VO	carrier mobility knee voltage	volt	10.0
VTF	transit time dependency on Vbc	volt	infinite
XCJC	fraction of CJC connected internally to Rb	-	1.0
XCJC2	fraction of CJC connected internally to Rb	-	1.0
XCJS	fraction of CJS connected internally to Rc	-	none
XTB	forward and reverse beta temperature coefficient	-	0.0
XTF	transit time bias dependence coefficient	-	0.0
XTI (PT)	IS temperature effect exponent	-	3.0
ICMAX	Maximum collector current	amp	-
VBEMAX	Maximum base emitter voltage	volt	-
VCEMAX	Maximum collector emitter voltage	volt	-
VCBMAX	Maximum collector base voltage	volt	-
θj	Maximum junction temperature	°C	175
POWER	power dissipation in package	W	0.0
RJTA	Junction to ambient thermal resistance	°C/W	0.0
MFG	Manufacturer	-	-

Appareils analogiques R

Résistance

Pour les pièces R standard, la valeur effective de la pièce est définie directement par la propriété VALEUR.

Pour la résistance variable, R_VAR, la valeur efficace est le produit de la valeur de base (VALEUR) et multiplicateur (R).

En général, les résistances doivent avoir des valeurs de composante positives (propriété VALEUR).

Cependant, il existe des cas où des valeurs de composants négatives sont souhaitées. Cela se produit le plus souvent dans les conceptions de filtres qui analysent un circuit RLC équivalent à un circuit réel. Lors de la transformation du réel à l'équivalent RLC, il est possible de se retrouver avec des valeurs de composantes négatives.

Forme générale R<nom> <(+) nœud> <(-) nœud> [nom du modèle] <valeur>

+ [TC = <TC1> [,<TC2>]]

Exemples

RLOAD 15 0 2K

R2 1 2 2.4E4 TC=.015,-.003

RFDBCK 3 33 RMOD 10K

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> RES [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
Resistor	Resistance	W	0
L	Parasitic inductance	H	0
C	Parasitic capacitance	F	0
POWER	Power dissipated	W	0
Set	Set of resistor	-	E24
R	resistance multiplier	-	1
TC1	Linear temperature coefficient	°C-1	0
TC2	Quadratic temperature coefficient	°C-2	0
TCE	exponential temperature coefficient	%/°C	0
T_MEASURED	Measured temperature	°C	27
REVERSE	Reverse resistance in subckt only	-	False

Appareils analogiques S

Interrupteur commandé en tension

Forme générale S<nom> <(+) nœud switch> <(-) nœud switch>

+ <(+) nœud de contrôle> <(-) nœud de contrôle>

+ <nom du modèle>

Exemples

S12 13 17 2 0 SMOD

SESET 5 0 15 3 RELAY

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> VSWITCH [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
VON	control voltage for on state	volt	1.2
VMAX	Maximum voltage	volt	2*VON
R	coil resistance	ohm	GMIN
CLS	closing or opening time	-	False
TD	Delay	s	0
ILIMIT	Contact breaking current	amp	0
VOFF	control voltage for off state	volt	VON
ROFF	off resistance	ohm	GMIN
RON	on resistance	ohm	GMAX
LSER	Inductance serie	H	0
ON	contacts opened	-	True

Appareils analogiques T

Ligne idéale

Forme générale T<nom> <Un port (+) nœud> <Un port (-) nœud>

+ <Nœud port B (+)> <Nœud port B (-)>

+ [nom du modèle]

+ Z0=<valeur> [TD=<valeur>] [F=<valeur> [NL=<valeur>]]

+ IC= <tension proche> <courant proche> <tension lointaine> <courant lointain>

Ligne à perte

Forme générale T<nom> <Un port (+) nœud> <Un port (-) nœud>

+ <Nœud port B (+)> <Nœud port B (-)>

+ [ <nom du modèle> [valeur de la longueur électrique] ]

+ LEN=<valeur> R=<valeur> L=<valeur>

+ G=<valeur> C=<valeur>

Exemples

T1 1 2 3 4 Z0=220 TD=115ns

T2 1 2 3 4 Z0=220 F=2.25MEG

T3 1 2 3 4 Z0=220 F=4.5MEG NL=0.5

T4 1 2 3 4 LEN=1 R=.311 L=.378u G=6.27u C=67.3p

T5 1 2 3 4 TMO 1

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> TRN [paramètres du modèle]

La liste des paramètres du modèle est donnée ci-dessous :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
IC	Sets the initial condition and all four values must be entered. Four values are expected when IC is specified: the near-end voltage, the near-end current, the far-end voltage, and the far-end current, given in that order.	-	none
ZO	characteristic impedance	ohms	none
TD	transmission delay	seconds	none
F	frequency for NL	Hz	none
NL	relative wavelength	none	0.25

Appareils analogiques W

Interrupteur à commande de courant

Forme générale W<nom> <(+) nœud switch> <(-) nœud switch>

+ <nom du périphérique V de contrôle> <nom du modèle>

Exemples

W12 13 17 VC WMOD

WRESET 5 0 VRESET RELAY

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> ISWITCH [paramètres du modèle]

Le modèle de paramètres est le suivant :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
ION	control current for on state	amp	0
IMAX	Maximum current	amp	2*ION
CLS	closing or opening time	-	False
TD	Delay	s	0
ILIMIT	Contact breaking current	amp	0
IOFF	control current for off state	amp	ION
ROFF	off resistance	ohm	GMIN
RON	on resistance	ohm	GMAX
ON	contacts opened	-	True

Appareils analogiques X

Instanciation de sous-circuit

Objet Cette instruction provoque l'insertion du sous-circuit référencé dans le circuit en utilisant les nœuds pour remplacer les nœuds d'argument dans la définition. Il permet à un bloc de circuits d'être défini une fois puis utilisé à plusieurs endroits.

Forme générale X<nom> [nœud]* <nom du sous-circuit> [PARAMS : <<nom> = <valeur>>*]

+ [TEXT: < <nom> = <valeur du texte> >* ]

Exemples

X12 100 101 200 201 DIFFAMP

XBUFF 13 15 UNITAMP

XFOLLOW IN OUT VCC VEE OUT OPAMP

XFELT 1 2 FILTER PARAMS: CENTER=200kHz

X27 A1 A2 A3 Y PLD PARAMS: MNTYMXDLY=1

+ TEXT: JEDEC_FILE=MYJEDEC.JED

XNANDI 25 28 7 MYPWR MYGND PARAMS: IO_LEVEL=2

Appareils analogiques Z

IGBT

Forme générale Z<nom> <nœud collecteur> <nœud porte> <nœud émetteur> <nom du modèle>

+ [AREA=<valeur>] [WB=<valeur>] [AGD=<valeur>]

+ [KP=<valeur>] [TAU=<valeur>]

Exemples

ZDRIVE 1 4 2 IGBTA AREA=10.1u WB=91u AGD=5.1u KP=0.381

Z231 3 2 9 IGBT27

Formulaire du modèle

.MODEL <nom du modèle> NIGBT [paramètres du modèle]

.MODEL <nom du modèle> PIGBT [paramètres du modèle]

La liste des paramètres des modèles est ci-dessous :

Nom	Libellé du paramètre	Unité	Défaut
AGD	gate-drain overlap area	m2	5.0E-6
AREA	area of the device	m2	1.0E-5
BVF	avalanche uniformity factor	-	1.0
BVN	avalanche multiplication exponent	-	4.0
CGS	gate-source capacitance per unit area	F/cm2	1.24E-8
COXD	gate-drain oxide capacitance per unit area	F/cm2	3.5E-8
JSNE	emitter saturation current density	A/cm2	6.5E-13
KF	triode region factor	-	1.0
KP	MOS transconductance	A/V2	0.38
MUN	electron mobility	cm2/(V s)	1.5E3
MUP	hole mobility	cm2/(V s)	4.5E2
NB	base doping	1/cm3	2.E14
TAU	ambipolar recombination lifetime	sec	7.1E-6
THETA	transverse field factor	1/V	0.02
VT	threshold voltage	V	4.7
VTD	gate-drain overlap depletion threshold	V	1.E-3
WB	metallurgical base width	M	9.0E-5
MFG	Manufacturer	-	-

Références des documents :

1 Document des commandes.

2 Document des digitaux.

3 Document des composants.